200V N-канальный MOSFET, ток:9.0A, напряжение:200V
Артикул: C3281281
Part Number: FQD12N20TF
Производитель: onsemi
от 0.216100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.586400 ₽ |
| 200 шт. | 0.226900 ₽ |
| 500 шт. | 0.219200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.216100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 200V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 9A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 280mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 23nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 910pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 25pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 160pF |
Описание
200V 9A 5V 2.5W 280mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252(DPAK) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS