P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: 30A, напряжение: 50V

P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: 30A, напряжение: 50V

Артикул: C3280983 Part Number: RFG30P05 Производитель: TI
от 1.049300 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.860700 ₽
200 шт. 1.107900 ₽
500 шт. 1.067800 ₽
1000 шт. 1.049300 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 P-Channel
Тип P-Channel
Напряжение сток–исток 50V
Непрерывный ток стока (Id) 30A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) -
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 65mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 200nC@20V
Входная ёмкость (Ciss) -

Описание

50V 30A 4V 65mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)