20V, N-канальный, обогащение режим MOSFET

20V, N-канальный, обогащение режим MOSFET

Артикул: C3280955 Part Number: PMV65UNEAR Производитель: Nexperia
от 0.103900 ₽ В наличии: 750 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.213500 ₽
50 шт. 0.166800 ₽
150 шт. 0.146700 ₽
500 шт. 0.121700 ₽
3000 шт. 0.110600 ₽
6000 шт. 0.103900 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 20V
Непрерывный ток стока (Id) 2.8A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 6.25W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 1V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 73mΩ@4.5V
Заряд затвора (Qg) 6nC@4.5V
Входная ёмкость (Ciss) 291pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 43pF

Описание

20V 2.8A 1V 6.25W 73mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный TO-236AB одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS