P-канальный MOSFET, ток: -1.03A, напряжение пробоя: -500V
Артикул: C3280846
Part Number: FQPF1P50
Производитель: onsemi
от 0.125500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.342300 ₽ |
| 200 шт. | 0.132500 ₽ |
| 500 шт. | 0.127800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.125500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 500V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 1.03A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 28W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 10.5Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 14nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 350pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 50pF |
Описание
500V 1.03A 5V 28W 10.5Ω@10V 1 P-канальный P-канальный TO-220F-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS