P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: 1.16A, напряжение: 100V

P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: 1.16A, напряжение: 100V

Артикул: C3280363 Part Number: 2N6895 Производитель: TI
от 0.223800 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.608000 ₽
200 шт. 0.236100 ₽
500 шт. 0.226900 ₽
1000 шт. 0.223800 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 P-Channel
Тип P-Channel
Напряжение сток–исток 100V
Непрерывный ток стока (Id) 1.16A
Рабочая температура -
Рассеиваемая мощность (Pd) -
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 3.65Ω@10V
Входная ёмкость (Ciss) 150pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 30pF
Выходная ёмкость (Coss) 80pF

Описание

100V 1.16A 4V 3.65Ω@10V 1 P-канальный P-канальный TO-205AF(TO-39) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)