P-канальный MOSFET, ток: -8A, напряжение пробоя: -12V
Артикул: C328028
Part Number: FDME905PT
Производитель: onsemi
от 0.284000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.297800 ₽ |
| 10 шт. | 0.291700 ₽ |
| 30 шт. | 0.287100 ₽ |
| 100 шт. | 0.284000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 12V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.1W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 97mΩ@1.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.315nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 465pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 525pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
2.1W 12V 8A 1V 97mΩ@1.8V 1 P-канальный P-канальный поверхностный монтаж (SMD) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS