Двойной N-канальный логические микросхемы уровень MOSFET, ток:6.7A, напряжение:20V
Артикул: C3279870
Part Number: FDS6812A
Производитель: onsemi
от 0.219200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.597200 ₽ |
| 200 шт. | 0.231500 ₽ |
| 500 шт. | 0.223800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.219200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 6.7A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 35mΩ@2.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 19nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.082nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 130pF |
Описание
20V 6.7A 1.5V 2W 35mΩ@2.5V 2 N-канальный N-канальный SOIC-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS