Двойной N-канальный MOSFET, ток: 6A, напряжение: 30V
Артикул: C3279488
Part Number: SI5922DU-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.654600 ₽
В наличии: 167 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.154900 ₽ |
| 10 шт. | 0.961300 ₽ |
| 30 шт. | 0.853100 ₽ |
| 100 шт. | 0.733300 ₽ |
| 500 шт. | 0.679200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.654600 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 9A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 24.5mΩ@4.5V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 10.4W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.2V |
| Заряд затвора (Qg) | 7.1nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 765pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 14pF |
Описание
30V 9A 10.4W 24.5mΩ@4.5V 2.2V 2 N-канальный PowerPAK сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS