Двойной N-канальный MOSFET, ток:108A, напряжение:30V
Артикул: C3279459
Part Number: SISF04DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.027600 ₽
В наличии: 130 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.715900 ₽ |
| 10 шт. | 1.458600 ₽ |
| 30 шт. | 1.298000 ₽ |
| 100 шт. | 1.134100 ₽ |
| 500 шт. | 1.058700 ₽ |
| 1000 шт. | 1.027600 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Common Drain |
| Непрерывный ток стока (Id) | 108A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4mΩ@10V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 69.4W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.3V |
| Заряд затвора (Qg) | 29nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.6nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 65pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.1nF |
Описание
30V 108A 69.4W 4mΩ@10V 2.3V 2 N-канальный PowerPAK1212-8SCD сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS