Infineon IPB097N08N3G
Артикул: C3279173
Part Number: IPB097N08N3G
Производитель: Infineon
от 0.199100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.541600 ₽ |
| 200 шт. | 0.209900 ₽ |
| 500 шт. | 0.202200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.199100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 80V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 70A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 35nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.41nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 20pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 652pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100W 80V 70A 3.5V 9.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS