650V, ток:32A, напряжение пробоя:700V
Артикул: C3279159
Part Number: IPB65R041CFD7ATMA1
Производитель: Infineon
от 7.277100 ₽
В наличии: 15 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.703200 ₽ |
| 10 шт. | 7.519700 ₽ |
| 30 шт. | 7.398400 ₽ |
| 100 шт. | 7.277100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 227W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 41mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 102nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.975nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.825nF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 75pF |
Описание
650V 50A 4.5V 227W 41mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS