Infineon IPD18DP10LMATMA1
Артикул: C3279050
Part Number: IPD18DP10LMATMA1
Производитель: Infineon
от 1.189300 ₽
В наличии: 35 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.805000 ₽ |
| 10 шт. | 1.580800 ₽ |
| 30 шт. | 1.457300 ₽ |
| 100 шт. | 1.278600 ₽ |
| 500 шт. | 1.216900 ₽ |
| 1000 шт. | 1.189300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 13.9A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 83W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 178mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 42nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.1nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 44pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 140pF |
Описание
100V 13.9A 2V 83W 178mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS