650 V CoolSiC M1 SiC траншейный мощность устройство
Артикул: C3278949
Part Number: IMW65R039M1HXKSA1
Производитель: Infineon
от 8.453000 ₽
В наличии: 18 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 12.020700 ₽ |
| 10 шт. | 10.337600 ₽ |
| 30 шт. | 9.311800 ₽ |
| 90 шт. | 8.453000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 46A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 176W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 50mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 41nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.393nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 15pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 208pF |
Описание
650V 46A 5.7V 176W 50mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3-41 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS