Infineon IPG20N06S2L65ATMA1
Артикул: C3278691
Part Number: IPG20N06S2L65ATMA1
Производитель: Infineon
от 0.518300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.825400 ₽ |
| 10 шт. | 0.700300 ₽ |
| 30 шт. | 0.636900 ₽ |
| 100 шт. | 0.575200 ₽ |
| 500 шт. | 0.537800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.518300 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Конфигурация | - |
| Напряжение сток–исток | 55V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 65mΩ@10V |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 43W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Заряд затвора (Qg) | 12nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 410pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 50pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 120pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
55V 20A 43W 65mΩ@10V 2V 2 N-канальный TDSON-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS