Высокий прочность N-канальный LDMOS транзистор, ток:1800W, напряжение:65V
Артикул: C3278459
Part Number: MRFX1K80NR5578
Производитель: NXP
от 72.055300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 196.511400 ₽ |
| 200 шт. | 76.048500 ₽ |
| 500 шт. | 73.376100 ₽ |
| 1000 шт. | 72.055300 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 179V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.333kW |
| Рабочая температура | -40℃~+225℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Входная ёмкость (Ciss) | 765pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5.6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 216pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | - |
Описание
3.333kW 179V 2.5V N-канальный OM-1230-4L2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)