30V, N-канальный, обогащение режим MOSFET

30V, N-канальный, обогащение режим MOSFET

Артикул: C3278433 Part Number: PXN6R7-30QLJ Производитель: Nexperia
от 0.096600 ₽ В наличии: 3000 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.198500 ₽
50 шт. 0.155000 ₽
150 шт. 0.136400 ₽
500 шт. 0.113200 ₽
3000 шт. 0.102800 ₽
6000 шт. 0.096600 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 30V
Непрерывный ток стока (Id) 12.7A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 40.3W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 2.2V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 6.7mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 24.8nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 1.15nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 66pF
Выходная ёмкость (Coss) 380pF

Описание

30V 12.7A 2.2V 40.3W 6.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный MLPAK(3.3x3.3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS