Обогащение режим мощность транзистор
Артикул: C3277831
Part Number: EPC8010
Производитель: EPC
от 2.274700 ₽
В наличии: 11 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.621800 ₽ |
| 10 шт. | 3.102300 ₽ |
| 30 шт. | 2.794200 ₽ |
| 100 шт. | 2.482800 ₽ |
| 500 шт. | 2.338600 ₽ |
| 1000 шт. | 2.274700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4A |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 120mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 360pC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 43pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 25pF |
Описание
100V 4A 1.4V 120mΩ 1 N-канальный N-канальный SMD-6P,2.1x0.9mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS