P-канальный MOSFET, ток: -27.5A, напряжение пробоя: -60V
Артикул: C3277453
Part Number: NTB25P06T4
Производитель: onsemi
от 0.271600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.740700 ₽ |
| 200 шт. | 0.287000 ₽ |
| 500 шт. | 0.276200 ₽ |
| 800 шт. | 0.271600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 27.5A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 120W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 82mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 88nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.68nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 180pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 480pF |
Описание
60V 27.5A 4V 120W 82mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный D2PAK одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)