12 GHz сверх малошумящий FET, ток:10mA, напряжение:4V
Артикул: C3277289
Part Number: CE3512K2-C1
Производитель: California Eastern Laboratories
от 0.193500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.528200 ₽ |
| 200 шт. | 0.204300 ₽ |
| 500 шт. | 0.198100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.193500 ₽ |
Характеристики
| Напряжение сток–исток | 4V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 68mA |
| Рабочая температура | -55℃~+125℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125mW |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | 3V |
Описание
4V 68mA 125mW поверхностный монтаж (SMD) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS