N-канальный обогащение режим MOSFET, ток: 8.0A, напряжение: 65V

N-канальный обогащение режим MOSFET, ток: 8.0A, напряжение: 65V

Артикул: C3277287 Part Number: MRF166W Производитель: MACOM
от 37.546900 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 102.397900 ₽
200 шт. 39.626700 ₽
500 шт. 38.234900 ₽
1000 шт. 37.546900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип N-Channel
Количество 2 N-Channel
Напряжение сток–исток 65V
Непрерывный ток стока (Id) 8A
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) -
Рассеиваемая мощность (Pd) 175W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4.5V
Заряд затвора (Qg) -
Рабочая температура -
Входная ёмкость (Ciss) 28pF
Конфигурация -
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 4pF
Выходная ёмкость (Coss) 30pF

Описание

65V 8A 4.5V 175W 2 N-канальный радиочастотные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS