N-канальный RF мощность LDMOS, ток: 63W, напряжение: 65V

N-канальный RF мощность LDMOS, ток: 63W, напряжение: 65V

Артикул: C3277237 Part Number: A2T21H360-24SR6 Производитель: NXP
от 79.753200 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 217.508200 ₽
200 шт. 84.173800 ₽
500 шт. 81.215900 ₽
1000 шт. 79.753200 ₽

Характеристики

Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 65V
Рассеиваемая мощность (Pd) 278W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 1.6V
Рабочая температура -40℃~+225℃

Описание

65V 1.6V 278W радиочастотные полевые транзисторы (FET, MOSFET)