Infineon IMBG65R260M1HXTMA1
Артикул: C3277128
Part Number: IMBG65R260M1HXTMA1
Производитель: Infineon
от 2.287800 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.656200 ₽ |
| 10 шт. | 3.130200 ₽ |
| 30 шт. | 2.815500 ₽ |
| 100 шт. | 2.499200 ₽ |
| 500 шт. | 2.353400 ₽ |
| 1000 шт. | 2.287800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 6A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 65W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 346mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 201pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 48pF |
Описание
650V 6A 5.7V 65W 346mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS