NXP A3T19H455W23SR6
Артикул: C3276789
Part Number: A3T19H455W23SR6
Производитель: NXP
от 38.074400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 103.837400 ₽ |
| 200 шт. | 40.183700 ₽ |
| 500 шт. | 38.771800 ₽ |
| 1000 шт. | 38.074400 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 65V |
| Непрерывный ток стока (Id) | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 172W |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V;1.2V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+225℃ |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
| Конфигурация | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±6V |
Описание
172W 65V 2 N-канальный радиочастотные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS