P-канальный MOSFET, ток: -4A, напряжение пробоя: -30V
Артикул: C3276761
Part Number: FDC658AP-G
Производитель: onsemi
от 0.052300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.142600 ₽ |
| 200 шт. | 0.055200 ₽ |
| 500 шт. | 0.053300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.052300 ₽ |
Характеристики
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.6W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 75mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 8.1nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 680pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 90pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 180pF |
Описание
30V 4A 3V 1.6W 75mΩ@4.5V P-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)