Широкополосный RF мощность GaN HEMT, ток:10W, напряжение:150V
Артикул: C3276672
Part Number: CLF1G0060S-10
Производитель: Rochester Electronics
от 30.800900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 83.999400 ₽ |
| 200 шт. | 32.507400 ₽ |
| 500 шт. | 31.364000 ₽ |
| 1000 шт. | 30.800900 ₽ |
Характеристики
| Напряжение сток–исток | 150V |
| Рабочая температура | -25℃~+85℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
Описание
150V 2V одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)