Infineon IMBG65R083M1HXTMA1
Артикул: C3276624
Part Number: IMBG65R083M1HXTMA1
Производитель: Infineon
от 4.229900 ₽
В наличии: 19 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.100900 ₽ |
| 10 шт. | 5.219100 ₽ |
| 30 шт. | 4.680600 ₽ |
| 100 шт. | 4.229900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 28A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 126W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 111mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 19nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 624pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 95pF |
Описание
650V 28A 5.7V 126W 111mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS