Двойной N & P-канальный логические микросхемы уровень обогащение режим FET, ток:0.5A, напряжение:25V
Артикул: C3276254
Part Number: FDG6321C-F169
Производитель: onsemi
от 0.060800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.165600 ₽ |
| 200 шт. | 0.064100 ₽ |
| 500 шт. | 0.061900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.060800 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 25V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 500mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 450mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 2.3nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 10pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 34pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
300mW 25V 500mA 1.5V 450mΩ@4.5V N-канальный + P-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)