Infineon BSS119N H7796
Артикул: C3276245
Part Number: BSS119N H7796
Производитель: Infineon
от 0.032400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.088400 ₽ |
| 200 шт. | 0.034200 ₽ |
| 500 шт. | 0.033000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.032400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 190mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 500mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 600pC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 20.9pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.1pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 4.5pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
500mW 100V 190mA 2.3V 6Ω@10V 1 N-канальный N-канальный SOT-23-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)