30V, 10.2A, 14mΩ N-канальный MOSFET
Артикул: C3276063
Part Number: FDS8878-F123
Производитель: onsemi
от 0.105300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.287100 ₽ |
| 200 шт. | 0.111100 ₽ |
| 500 шт. | 0.107200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.105300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10.2A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 17mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 26nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 897pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 111pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 190pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
2.5W 30V 10.2A 2.5V 17mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)