IGBT 1.2kV 20A TO-263-3
Артикул: C32168359
Part Number: IGB08N120S7ATMA1
Производитель: Infineon
от 1.240800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.312900 ₽ |
| 10 шт. | 1.281700 ₽ |
| 30 шт. | 1.262100 ₽ |
| 100 шт. | 1.240800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 87W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 20A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@8A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 55nC@8A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.15V@0.16mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.3nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 24pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 17pF |
| Время задержки включения Td(on) | 14ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 149ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 460uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 410uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
IGBT 1.2kV 20A 87W поверхностный монтаж TO-263-3