Infineon FF200R33KF2C
Артикул: C3198855
Part Number: FF200R33KF2C
Производитель: Infineon
от 510.225600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 575.163400 ₽ |
| 200 шт. | 538.501400 ₽ |
| 500 шт. | 519.576700 ₽ |
| 1000 шт. | 510.225600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.2kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 3.3kV |
| Ток коллектора (Ic) | 330A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.4V;4.25V |
| Заряд затвора (Qg) | 4uC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.25V@15V,200A |
| Входная ёмкость (Cies) | 25nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 1.4nF |
| Время задержки включения Td(on) | 280ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 1.55us;1.7us |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 235mJ;365mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 215mJ;255mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
2.2kW 330A 3.3kV одиночные IGBT-транзисторы RoHS