Infineon BSM50GAL120DN2
Артикул: C3198844
Part Number: BSM50GAL120DN2
Производитель: Infineon
от 88.390700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 241.064700 ₽ |
| 200 шт. | 93.289700 ₽ |
| 500 шт. | 90.010900 ₽ |
| 1000 шт. | 88.390700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 400W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 78A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3V@15V,50A |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.3nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 500pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 250pF |
| Время задержки включения Td(on) | 100ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 500ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | 200ns |
Описание
400W 78A 1.2kV одиночные IGBT-транзисторы RoHS