Infineon DF650R17IE4
Артикул: C3198843
Part Number: DF650R17IE4
Производитель: Infineon
от 323.439000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 364.603700 ₽ |
| 201 шт. | 341.363800 ₽ |
| 501 шт. | 329.367100 ₽ |
| 999 шт. | 323.439000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 4.15kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.7kV |
| Ток коллектора (Ic) | 930A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.45V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.45V@15V,650A |
| Заряд затвора (Qg) | 7uC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 54nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 1.7nF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 550ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 1us |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 205mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 140mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
4.15kW 930A 1.7kV IGBT модуль модули IGBT RoHS