Infineon F3L200R12W2H3B11
Артикул: C3198841
Part Number: F3L200R12W2H3B11
Производитель: Infineon
от 57.218100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 156.050300 ₽ |
| 195 шт. | 60.390200 ₽ |
| 495 шт. | 58.266700 ₽ |
| 1005 шт. | 57.218100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 600W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V;1.75V;1.45V;1.6V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.75V@15V,100A |
| Заряд затвора (Qg) | 1.6uC@15V;1uC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 11.5nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 700pF;190pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 140ns;155ns;160ns;55ns;60ns;65ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 320ns;400ns;420ns;250ns;270ns;280ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.2mJ;2mJ;2.25mJ;1.85mJ;2.8mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.5mJ;5.3mJ;5.9mJ;3.3mJ;3.1mJ;4.1mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
600W 100A 1.2kV IGBT модуль модули IGBT RoHS