Infineon FP35R12KT4B11
Артикул: C3198826
Part Number: FP35R12KT4B11
Производитель: Infineon
от 52.968700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 144.457100 ₽ |
| 200 шт. | 55.903100 ₽ |
| 500 шт. | 53.939000 ₽ |
| 1000 шт. | 52.968700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 210W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 35A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.85V;2.15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.15V@15V,35A |
| Заряд затвора (Qg) | 270nC |
| Входная ёмкость (Cies) | 2nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 70pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 160ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 330ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3.9mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.1mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
210W 35A 1.2kV FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS