Infineon FS3L50R07W2H3FB11
Артикул: C3198805
Part Number: FS3L50R07W2H3FB11
Производитель: Infineon
от 119.223000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 122.922300 ₽ |
| 30 шт. | 119.223000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V;1.8V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.8V@15V,50A |
| Заряд затвора (Qg) | 500nC@15V;300nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.1nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 95pF;51pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 37ns;30ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 255ns;175ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 960uJ;380uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.2mJ;420uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 50A 650V FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS