Infineon DF200R12PT4B6
Артикул: C3198774
Part Number: DF200R12PT4B6
Производитель: Infineon
от 280.273200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 764.382100 ₽ |
| 200 шт. | 295.806300 ₽ |
| 500 шт. | 285.409700 ₽ |
| 1000 шт. | 280.273200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.1kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 300A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.65uC@30V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 12.5nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 540pF |
| Время задержки включения Td(on) | 190ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 365ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 11mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 14mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1.1kW 300A 1.2kV FS (ограничение поля) одиночные IGBT-транзисторы RoHS