Infineon FD900R12IP4DV
Артикул: C3198659
Part Number: FD900R12IP4DV
Производитель: Infineon
от 477.931900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 538.759700 ₽ |
| 200 шт. | 504.417000 ₽ |
| 500 шт. | 486.690000 ₽ |
| 1000 шт. | 477.931900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 5.1kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 900A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 6.4uC@30V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.05V@15V,900A |
| Входная ёмкость (Cies) | 54nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 2.8nF |
| Время задержки включения Td(on) | 200ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 700ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 50mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 150mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
5.1kW 900A 1.2kV FS (ограничение поля) одиночные IGBT-транзисторы RoHS