Infineon BSM75GB120DLC
Артикул: C3198620
Part Number: BSM75GB120DLC
Производитель: Infineon
от 108.850500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 296.864700 ₽ |
| 200 шт. | 114.883600 ₽ |
| 500 шт. | 110.845600 ₽ |
| 1000 шт. | 108.850500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 690W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 170A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V;2.9V |
| Заряд затвора (Qg) | 800nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.6V@15V,75A |
| Входная ёмкость (Cies) | 5.1nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 330pF |
| Время задержки включения Td(on) | 50ns;60ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 300ns;350ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 7.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 9mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
690W 170A 1.2kV IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы RoHS