600V IGBT с диод, высокоскоростной PT биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для 40 - 100kHz импульсный

600V IGBT с диод, высокоскоростной PT биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для 40 - 100kHz импульсный

Артикул: C3198595 Part Number: IXGR48N60C3D1 Производитель: Littelfuse/IXYS
от 17.552200 ₽ В наличии: 1 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 18.028600 ₽
10 шт. 17.552200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT PT (Punch-Through)
Рассеиваемая мощность (Pd) 125W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 56A
Ток отсечки коллектора (Ices) 300uA
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.7V
Заряд затвора (Qg) 77nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 3V@250uA
Входная ёмкость (Cies) 1.96nF
Выходная ёмкость (Coes) 220pF
Проходная ёмкость (Cres) 66pF
Время задержки включения Td(on) 19ns
Время задержки выключения Td(off) 92ns
Энергия потерь при включении (Eon) 410uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 550uJ;570uJ
Время обратного восстановления (trr) 25ns

Описание

125W 56A 600V PT (пробойник-Through) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS