SiC гибридный модуль, I-тип NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC диод
Артикул: C3198345
Part Number: NXH350N100H4Q2F2S1G
Производитель: onsemi
от 140.660000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 383.618200 ₽ |
| 216 шт. | 148.454900 ₽ |
| 504 шт. | 143.238800 ₽ |
| 1008 шт. | 140.660000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 276W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1kV |
| Ток коллектора (Ic) | 303A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.63V;1.75V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.84V;5V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.249uC@600V;1.304uC@600V |
| Входная ёмкость (Cies) | 24.146nF@20V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 1.027nF;1.012nF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 106pF;104pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 85ns;70ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 319ns;423ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.5mJ;6.4mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 4.9mJ;4.2mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 105ns |
Описание
276W 303A 1kV FS (ограничение поля) Q2PACK-42(47x93) модули IGBT RoHS