onsemi NXH80B120MNQ0SNG
Артикул: C3198167
Part Number: NXH80B120MNQ0SNG
Производитель: onsemi
от 47.239100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 128.832500 ₽ |
| 200 шт. | 49.857400 ₽ |
| 500 шт. | 48.105000 ₽ |
| 1000 шт. | 47.239100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 69W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | - |
| Ток коллектора (Ic) | 23A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2V |
| Заряд затвора (Qg) | 74.72nC |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.0387nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 95.5pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 10.9pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 13.4ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 27.6ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 166uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 49.2uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 12ns |
Описание
69W 23A PIM-22(32.5x55) модули IGBT RoHS