NXP PDTD113EQA147
Артикул: C3196373
Part Number: PDTD113EQA147
Производитель: NXP
от 0.969000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.643200 ₽ |
| 200 шт. | 1.023000 ₽ |
| 500 шт. | 0.987600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.969000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 325mW |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 210MHz |
Описание
50V 500mA 1 NPN NPN одиночные биполярные транзисторы