NXP PDTC123EMB
Артикул: C3196019
Part Number: PDTC123EMB
Производитель: NXP
от 0.969000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.643200 ₽ |
| 200 шт. | 1.023000 ₽ |
| 500 шт. | 0.987600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.969000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 150mV |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 230MHz |
Описание
50V 100mA 1 NPN NPN одиночные биполярные транзисторы