NXP BCM847DS/DG/B2 115

NXP BCM847DS/DG/B2 115

Артикул: C3195565 Part Number: BCM847DS/DG/B2 115 Производитель: NXP
от 0.067900 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.185000 ₽
200 шт. 0.071600 ₽
500 шт. 0.069100 ₽
1000 шт. 0.067900 ₽

Характеристики

Тип NPN
Количество 2 NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 45V
Ток коллектора (Ic) 100mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 300mW
Рабочая температура -65℃~+150℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 400mV
Ток отсечки коллектора 5uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 6V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz

Описание

45V 100mA NPN 2 NPN SOT-23-6 одиночные биполярные транзисторы