TI HGTD8P50G1S
Артикул: C3193963
Part Number: HGTD8P50G1S
Производитель: TI
от 0.675800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.839800 ₽ |
| 200 шт. | 0.713000 ₽ |
| 500 шт. | 0.688200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.675800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 66W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 500V |
| Ток коллектора (Ic) | 8A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.7V |
| Заряд затвора (Qg) | 30nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6V |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 45ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 480ns;100ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 800uJ;1.3mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
66W 8A 500V TO-252AA одиночные IGBT-транзисторы