TI HGTD3N60B3S
Артикул: C3193947
Part Number: HGTD3N60B3S
Производитель: TI
от 0.444900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.212100 ₽ |
| 200 шт. | 0.469700 ₽ |
| 500 шт. | 0.452600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.444900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 33.3W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 7A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V;2.1V |
| Заряд затвора (Qg) | 21nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.4V |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 105ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 66uJ;130uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 88uJ;210uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
33.3W 7A 600V TO-252-3(DPAK) одиночные IGBT-транзисторы