onsemi FGD3N60LSDTM-T-FS
Артикул: C3193932
Part Number: FGD3N60LSDTM-T-FS
Производитель: onsemi
от 0.969000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.643200 ₽ |
| 200 шт. | 1.023000 ₽ |
| 500 шт. | 0.987600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.969000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 40W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 6A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.2V |
| Заряд затвора (Qg) | 12.5nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V |
| Входная ёмкость (Cies) | 185pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 20pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 5.5pF |
| Время задержки включения Td(on) | 40ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 600ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 250uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 234ns |
Описание
40W 6A 600V TO-252(DPAK) одиночные IGBT-транзисторы