IGBT 650V 10A TO-252
Артикул: C3193928
Part Number: AOD5B65MQ1E
Производитель: AOS
от 0.459800 ₽
В наличии: 135 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.792900 ₽ |
| 10 шт. | 0.674300 ₽ |
| 30 шт. | 0.615800 ₽ |
| 100 шт. | 0.557300 ₽ |
| 500 шт. | 0.477700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.459800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 10A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 10uA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.7V@5A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 8.8nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.2V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 235pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 22pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 5pF |
| Время задержки включения Td(on) | 7ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 78ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 90uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 60uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 74ns |
Описание
IGBT 650V 10A поверхностный монтаж TO-252