Infineon IRGP6640D-EPBF
Артикул: C3193845
Part Number: IRGP6640D-EPBF
Производитель: Infineon
от 0.969000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.643200 ₽ |
| 200 шт. | 1.023000 ₽ |
| 500 шт. | 0.987600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.969000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 53A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 50nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.55nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 100pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 45pF |
| Время задержки включения Td(on) | 40ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 100ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 90uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 600uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 70ns |
Описание
200W 53A 600V TO-247AD одиночные IGBT-транзисторы RoHS